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| SVSP65R110P7HD4 |
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| SVSP65R110P7HD4是SILAN士兰微的一款MOS管|IGBT|模块,我司不但为您提供可靠的全新原装SVSP65R110P7HD4，还可提供SVSP65R110P7HD4应用资料、免费样品及产品研发技术支持！详情可致电垂询. | | 元件型号：SVSP65R110P7HD4 | | 元件品牌：SILAN士兰微 | | 封装：TO247 | | 参数：35A 650V超洁MOS功率管 |
| 全新原装正品保障，质量是企业的生命！ |
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SVSP65R110P7HD4：35A，650V超结MOS功率管
描述
SVSP65R110P7HD4 N沟道增强型高压功率场效应管采用莽微电子超结金属氧化物半导体技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。可替代IPP65R110CFDA.IPA60R125P6.IXFH34N65X2。
此外，SVSP65R110P7HD4应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑
特点
35A，650V，右(开)(典型值)=90MQ@VG=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt 能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准 |
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| 联系方式 |
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总 机:0512-50710709
手 机:15950933050
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