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产品介绍
SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。SVG103R0NSTR产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特性
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SVG103R0NSTR
SAP2003SCTR
SA358SATR
SGT15T60SD1S
SDH8322STR
SVG104R5NT
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