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| 2SK3878 |
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| 2SK3878是TOSHIBA的一款MOS管|IGBT|模块,我司不但为您提供可靠的全新原装2SK3878，还可提供2SK3878应用资料、免费样品及产品研发技术支持！详情可致电垂询. | | 元件型号：2SK3878(STA1,E,S) | | 元件品牌：TOSHIBA | | 封装：TO3P | | 参数：9A 900V MOS管 |
| 全新原装正品保障，质量是企业的生命！ |
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型号：2SK3878(STA1,E,S) 商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 900V
连续漏极电流(Id) 9A
功率(Pd) 150W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs) 60nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 2.2nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 190pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj) |
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| 联系方式 |
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总 机:0512-50710709
手 机:15950933050
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