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| SVS20N60P7D2 |
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| SVS20N60P7D2是SILAN士兰微的一款MOS管|IGBT|模块,我司不但为您提供可靠的全新原装SVS20N60P7D2，还可提供SVS20N60P7D2应用资料、免费样品及产品研发技术支持！详情可致电垂询. | | 元件型号：SVS20N60P7D2 | | 元件品牌：SILAN士兰微 | | 封装：TO247 | | 参数：20A 600V超洁MOS功率管 |
| 全新原装正品保障，质量是企业的生命！ |
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SVS20N60P7D2:20A,600V 超结 MOS功率管
描述
SVS20N60P7D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特点
20A，600V，Rps(on)=0.162@Ves=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强 dv/dt 能力
高电流峰值 |
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